碳化硅设备

产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_腾讯新闻

2022年12月15日由于碳化硅具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力等优点，是高温、高压、大功率应用场合下极为理想的半导体材料， 2020年10月21日以碳化硅MOSFET工艺为例，整线关键工艺设备共22种。 1.碳化硅晶体生长及加工关键设备主要包括: 碳化硅粉料合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做 ...2022年3月2日碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/ 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有 ...

各应用行业的功率模块产品碳化硅(SiC)应用设备

碳化硅 (SiC)应用设备半导体器件用途广泛的各类碳化硅 (SiC)功率模块有着优异特性的碳化硅 (SiC) New/Featured Products 家电用 600V/15A・25A 超小型全SiC DIPIPM™的优点家电用超小型混合/全SiC DIPPFC™的 2023年6月28日摘要：近日，晶盛机电成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备，引领国内碳化硅行业技术升级。该设备可实现掺杂均匀性4%以内的外延质量，是晶盛机电在第三代半导体设备领域晶盛机电成功研发8英寸碳化硅外延设备_腾讯新闻2023年6月30日其中，碳化硅外延片是制作碳化硅电力电子器件的关键材料。相较于此前生产的6英寸外延设备，此次发布的8英寸碳化硅外延设备生产出的外延片边缘损耗更小、中国电科48所率先发布国产8英寸碳化硅外延设备 - 湖南省工业 ...

碳化硅化学气相沉积外延设备_纳设智能官方网站 - Naso Tech

碳化硅化学气相沉积外延设备-纳设智能官方网站-碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时 2021年1月15日英罗唯森：开启碳化硅设备先河. 无锡英罗唯森科技有限公司是国内领先的碳化硅设备制造商，为化工、医药农药、新能源领域等有耐腐蚀设备需求用户提供技术英罗唯森：开启碳化硅设备先河_澎湃号媒体_澎湃新闻-The ...2019年9月5日碳化硅器件高端检测设备被国外所垄断。 4 碳化硅功率模块当前碳化硅功率模块主要有引线键合型和平面封装型两种。为了充分发挥碳化硅功率器件的高温、高频优势，必须不断降低功率模块的寄生电感、降低互连层热阻，并提高芯片在高温下 ...第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 - 知乎

国内第三代半导体厂商（碳化硅） - 知乎

2019年2月22日东莞天域东莞市天域半导体科技有限公司（TYSiC)成立于2009年1月7日,是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。. 目前公司已引进四台世界一流的SiC-CVD及配套 2020年10月19日碳化硅的设备国产化在这两年也有一些进展。比如用于衬底生产的单晶生长设备——硅长晶炉：2019年11月26日，露笑科技与中科钢研、国宏中宇签署合作协议，依托中科钢研及国宏中宇在碳化硅晶体材料生长工艺技术方面已经取得的与持续产出的 ...小议碳化硅的国产化 - 知乎搭载SiC-MOSFET，能够降低通态阻抗，与已有产品*相比，功率损耗约减少70％. 反向恢复电流变小，降低系统运行噪音. 集成丰富功能，如自举电路、温度输出等. 采用独有的高开通阈值电压 SiC-MOSFET芯片，门极驱动无需负压关断. 确保封装和引脚布局与已有产品*的 ...各应用行业的功率模块产品碳化硅(SiC)应用设备

碳化硅产业链最全分析 - 知乎

2021年12月5日疯狂的禾苗. 22 人赞同了该文章. 本文首发自公众号：价值盐选. 今天我们分析一下半导体产业链，这条产业链分为很多环节，比如材料、设备、芯片设计、芯片制造、封装测试。. 我们先来分析其中一种材料，叫做碳化硅 SiC。. 01 SiC 基本情况及产业链. 这个 ...2021年10月15日根据调研报告披露，合肥碳化硅项目一期100台设备已经完成出厂调试，预计7月底在合肥工厂完成安装调试；衬底片已通过多家第三方单位的测试，已达到了P级标准。随着衬底加工设备、清洗设备、测试设备等的逐步到位，以及加工工艺的进一步 ...本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！ - 知乎专栏2020年12月8日目前全球95%以上的半导体元件，都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料，不过随着电动车、5G等新应用兴起，硅基半导体受限硅材料的物理性质，在性能上有不易突破的瓶颈，因此以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 - 知乎

最全！解析碳化硅外延材料产业链_器件

2020年11月24日碳化硅外延材料的主要设备，目前这个市场上主要有四家： 1、德国的Aixtron：特点是产能比较大； 2、意大利的LPE，属于单片机，生长速率非常大。 3、日本的TEL和Nuflare，其设备的价格非常昂贵，其次是双腔体，对提高产量有一定的作用。其中 ...2021年11月24日随着衬底加工设备、清洗设备和测试设备的逐步到位及加工工艺优化，合肥工厂 9 月份基本可实现 6 英寸导电型碳化硅衬底片的小批量生产。同时报告期内公司大幅增加碳化硅业务的研发投入，研发费用较去年同比增长 148.07％，碳化硅的项的成功落地标志着公司由过去的基础制造企业完成向高端 ...SiC 衬底——产业瓶颈亟待突破，国内厂商加速发展 - 知乎2021年10月25日目前，碳化硅外延技术已与碳化硅外延设备高度融合，外延设备主要由意大利LPE公司、德国Aixtron公司、日本TEL和Nuflare公司所垄断。3.2 外延层缺陷控制碳化硅外延缺陷是制备高性能器件的关键，缺陷会对碳化硅功率器件的性能和可靠性有严重影响。碳化硅功率器件之三 - 知乎

第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 - 知乎

2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法碳化硅产业链主要包含粉体、单晶材料、外延材料、芯片制备、功率器件、模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒，再经过破碎、清洗等加工工序，获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 ...2023年8月19日在国产外延设备方面，北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备，且当下存在发展的良机。一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节（疫情等原因），无法快速放量，主流碳化硅高温外延设备交付周期普遍在1.5-2年以上。为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？ - 知乎2021年4月29日目前，碳化硅外延设备主要由意大利的 LPE 公司、德国 AIXTRON 公司以及日本 Nuflare 公司所垄断。此处为广告，与本文内容无关图 4 全球碳化硅产业格局图 5 现有碳化硅外延设备分析预计到 2023 年碳化硅外延技术突破或改变产业格局！-电子工程专辑

半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比 - 知乎

2020年6月16日半导体制造之设备篇. 半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但半导体制造设备远远不止这些，本文将一一比较国产化 2019年9月2日二是碳化硅芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立碳化硅工艺线所采用的关键设备基本需要进口。三是碳化硅器件高端检测设备被国外所垄断。 4. 碳化硅功率模块碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 - 知乎2022年1月5日晶盛机电：在碳化硅领域，产品主要有碳化硅长晶设备及外延设备，已通过客户验证，同时在碳化硅晶体生长、切片、抛光环节已规划建立测试线 ...碳化硅/氮化镓新赛道已经开启哪些标的值得关注？氮化镓 ...

SiC行业深度报告：SiC全产业链拆解，新能源行业下一代 ...

2022年10月29日在碳化硅领域，公司的产品主要有碳化硅长晶、抛光、外延设备以及 6 英寸导电型碳化硅衬底片。公司从 2017 年开始布局碳化硅业务，凭借在硅晶体设备领域先进的技术支撑，2020 年实现 SiC 外延设备的销售，建设了 6 英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，实验线产品已通过下游 ...碳化硅（又名：碳硅石、金钢砂或耐火砂），化学简式：SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济碳化硅 - 知乎2021年5月24日去咨询. SiC产业链解析：. 碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。. 实际应用中对外延层质量的要求非常高。. 而且随着耐压性能的不断提高，所要求的外延层的厚度就越厚，成本也会相 SIC外延漫谈 - 知乎